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在蒸發(fā)結(jié)晶過(guò)程中,過(guò)飽和度的產(chǎn)生速率取決于蒸發(fā)速率,即設(shè)備的蒸發(fā)強(qiáng)度。蒸發(fā)強(qiáng)度愈大,其產(chǎn)生過(guò)飽和度的速度愈快,越易形成過(guò)高的過(guò)飽和度。而過(guò)飽和度的消除主要依賴(lài)于晶體的自發(fā)成核和晶體的成長(zhǎng)過(guò)程。如果在結(jié)晶器內(nèi),具有足夠的晶體表面和較快的成長(zhǎng)速率,由于蒸發(fā)所產(chǎn)生的過(guò)飽和度,能全部成長(zhǎng)在晶體表面上,溶液的過(guò)飽和度不會(huì)因?yàn)槌^(guò)溶液的較大過(guò)飽和度而使溶質(zhì)以成核過(guò)程來(lái)消除過(guò)飽和度,從而不會(huì)產(chǎn)生大量的晶核。

       如果溶液中晶體表面不足,晶體的生長(zhǎng)不足以消除由于蒸發(fā)所產(chǎn)生的過(guò)飽和度,使得溶液的過(guò)飽和度過(guò)高,而處于不穩(wěn)定區(qū)域,溶液的過(guò)飽和度將以自發(fā)成核過(guò)程來(lái)消耗過(guò)飽和度,從而形成大量的細(xì)小顆粒。因而需要對(duì)蒸發(fā)結(jié)晶過(guò)程中的蒸發(fā)強(qiáng)度進(jìn)行控制，使結(jié)晶體系的過(guò)飽和度始終處于結(jié)晶介穩(wěn)區(qū)之內(nèi)，從而保證所設(shè)計(jì)的蒸發(fā)結(jié)晶設(shè)備能生產(chǎn)出符合設(shè)計(jì)任務(wù)要求的產(chǎn)品。

      晶體在生長(zhǎng)區(qū)的停留時(shí)間越長(zhǎng),晶體生長(zhǎng)的時(shí)間越長(zhǎng),晶體粒度越大。大粒度晶體的生成需要有足夠的生長(zhǎng)時(shí)間。我們將在準(zhǔn)確的結(jié)晶動(dòng)力學(xué)數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)上,根據(jù)晶體生長(zhǎng)速率和設(shè)計(jì)任務(wù)中所要求的粒度設(shè)計(jì)成合適的OSLO結(jié)晶器。

在原有OSLO的基礎(chǔ)上，康景輝對(duì)該結(jié)晶器做了大量改進(jìn)，使得其更加符合實(shí)際生產(chǎn)的工況。

操作方法：有連續(xù)結(jié)晶、間歇結(jié)晶

結(jié)晶方法：水冷卻結(jié)晶、蒸發(fā)結(jié)晶、冷凍結(jié)晶、真空結(jié)晶

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